半導体装置とその製造方法

Semiconductor and its manufacture

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、ゲート電極からの電界集中を緩和 し、スイッチング特性の劣化、チャネル幅の狭いトラン ジスタにおけるしきい値電圧のを抑えることを可能とす る。 【解決手段】トレンチ11aは、傾斜が緩い第1の傾斜 部12と、第1の傾斜部12の下部からトレンチ11a の底部に続く傾斜が急峻な第2の傾斜部13とからなる 側壁を有している。ゲート電極15は第1の傾斜部12 と素子領域11bの表面とが成す緩いコーナー部を覆っ ており、コーナー部における電界の集中が緩和されてい る。
PROBLEM TO BE SOLVED: To relieve conversion of electric field from a gate electrode and to suppress the deterioration of switching characteristics and threshold voltage of a transistor having a narrow channel. SOLUTION: A trench 11a has sidewalls comprising a first gentle inclination 12 and a steep inclination 13 which extends from the foot of the first inclination 12 toward the bottom of the trench 11a. A gate electrode 15 covers a gentle corner part formed by the first inclination 12 and the surface of a device region 11b. In this way, the conversion of electric field in the corner is relaxed.

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    JP-2002141407-AMay 17, 2002Rohm Co Ltd, ローム株式会社半導体装置およびその製造方法
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