ハーフトーン位相シフトマスク

Half-tone phase shift mask

Abstract

(57)【要約】 【目的】 正確なマスクアラインメント処理を行うこと ができる位相シフトマスクを提供すること。 【構成】 位相をシフトする位相シフトマスクであっ て、第1面と第2面を有する透明基盤と、透明基盤の第 1面上に、第1面の一部分を露出して位相シフトマスク のアラインメント用マークパターンを形成する為の第1 パターン層と、透明基盤の第2面上に、第2面の一部分 を露出して製造用の穴パターンを形成しマークパターン を通過する光線も覆われるようにマークパターンを覆う 第2パターン層とを備えた。好ましくは、透明基盤が石 英又はガラスを有する。また第1パターン層が光を遮断 する材質、例えばクロムを有する。第2パターン層は、 光の位相を、例えば180度シフトすることのできる材 質を有する。第2パターン層は第2パターンのパターン を変えている間には約3%から10%の透過率を持ち、 位相シフトマスクアラインメント処理を行っている間に は約50%の透過率を有する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase shift mask capable of performing accurate mask alignment. SOLUTION: A phase shift mask for shifting a phase has a transparent substrate having a first surface and second surface, a first pattern layer provided on the first surface of the transparent substrate for forming a mark pattern for aligning the phase shift mask by exposing a part of the first surface, and a second pattern layer provided on the second surface of the transparent substrate for covering the mark pattern so as to cover rays of light passing through the mark pattern by forming a hole pattern for manufacture by exposing a part of the second surface. Preferably, the transparent substrate has quartz or glass. The first pattern layer has a material that cuts off light, such as chromium. The second pattern layer has a material capable of shifting the phase of light, for example, by 180 degrees. The second pattern layer has transmissivity of about 3% to 10% while a pattern of the second pattern layer is being changed, and has transmissivity of about 50% while the phase shift mask is being aligned. COPYRIGHT: (C)2000,JPO

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    JP-2008252092-AOctober 16, 2008Asml Netherlands Bv, エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.Lithographic system and device manufacturing method