Field effect semiconductor device

電界効果型半導体装置

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲート電極を構成する金属が障壁層まで拡散 する構成のものにおいて、ゲート電極を構成する金属の 厚みにばらつきが生じても、閾値電圧のばらつきが小さ い電界効果型半導体装置を提供する。 【解決手段】 GaAs基板1上にn型GaAs層3、 障壁層が順に形成され、該障壁層上にゲート電極10が 形成され、該ゲート電極10を構成するPtが前記障壁 層まで拡散している電界効果型半導体装置において、前 記障壁層は第1のAlGaAs層4と第2のAlGaA s層5からなり、前記第1のAlGaAs層4は前記第 2のAlGaAs層5に比べPtが拡散しにくい半導体 材料であることを特徴とする。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field effect semiconductor device wherein a threshold voltage varies little even if the thickness of metal constituting a gate electrode disperses, in a device of a constitution wherein metal constituting a gate electrode diffuses to a barrier layer. SOLUTION: In the semiconductor device, an n-type GaAs layer 3 and a barrier layer are formed on a GaAs board 1 one by one, a gate electrode 10 is formed on the barrier layer, and Pt constituting the gate electrode 10 diffuses to a barrier layer. The barrier layer is formed of a first AlGaAs layer 4 and a second AlGaAs layer 5, and the first AlGaAs layer 4 is a semiconductor material wherein Pt is hard to diffuse when compared to the second AlGaAs layer 5.

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